Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
ÚvodProduktyDoplnky priemyselného inteligentného moduluDDR3 UDIMM Pamäťové špecifikácie

DDR3 UDIMM Pamäťové špecifikácie

Typ platby:
L/C,T/T,D/A
Incoterm:
FOB,EXW,CIF
Min. objednať:
1 Piece/Pieces
preprava:
Ocean,Air,Express,Land
  • Popis produktu
Overview
Atribúty produktu

Model č.NSO4GU3AB

Schopnosť dodávky a ďalšie informác...

prepravaOcean,Air,Express,Land

Typ platbyL/C,T/T,D/A

IncotermFOB,EXW,CIF

Balenie a dodávka
Predajné jednotky:
Piece/Pieces

4 GB 1600 MHz 240-PIN DDR3 UDIMM


Revízia

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Tabuľka objednávania informácií

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


Opis
Hengstar Unbuffered DDR3 SDRAM DIMMS (Unbuffered Double Data Synchrónna DRAM DRAM duálna in-line pamäťové moduly) sú moduly s nízkym výkonom a vysokorýchlostným modulom prevádzky, ktoré používajú zariadenia DDR3 SDRAM. NS04GU3AB je 512 m x 64-bitovo dvojradové 4 GB DDR3-1600 CL11 1,5V SDRAM Unbuffered DIMM, založený na šestnástich 256 m x 8-bitových komponentoch FBGA. SPD je naprogramovaný na štandardnú latenciu JEDEC DDR3-1600 načasovanie 11-11-11 pri 1,5 V. Každý 240-kolík DIMM používa kontaktné prsty zlata. Unsedn DIMM SDRAM je určený na použitie ako hlavná pamäť pri inštalácii v systémoch, ako sú počítače a pracovné stanice.


Vlastnosti
 Požiadavka: VDD = 1,5V (1,425 V až 1,575V)
VDDQ = 1,5 V (1,425 V až 1,575V)
800MHz FCK pre 1600 MB/s
8 Nezávislá interná banka
 Priemerná latencia CAS: 11, 10, 9, 8, 7, 6
Programovateľná aditívna latencia: 0, Cl - 2 alebo Cl - 1 hodiny
8-bit predpätie
Brys dĺžky: 8 (prekladanie bez akejkoľvek limitu, postupná so štartovacou adresou „000“), 4 s TCCD = 4, ktorá neumožňuje plynulé čítanie alebo písať [buď za behu pomocou A12 alebo MRS]
BI-smerovacie diferenciálne údaje Strobe
 Internal (Self) Kalibrácia; Vnútorná kalibrácia prostredníctvom PIN ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
 Ukončenie matrice pomocou PIN ODT
Priemerné osviežujúce obdobie 7,8us pri nižšej ako Tcase 85 ° C, 3,9us pri 85 ° C <Tcase <95 ° C
Asynchrónny reset
Preteľná pevnosť jednotky výstupu údajov
 Topológia
PCB: Výška 1,18 ”(30 mm)
ROHS kompatibilný a halogén bez halogénu


Parametre načasovania kľúčového

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Tabuľka adries

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


Popisy pinov

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Poznámky Tabuľka popisu PIN Nižšie je uvedený komplexný zoznam všetkých možných kolíkov pre všetky moduly DDR3. Všetky zoznamy kolíkov máj Nebuďte podporovaní v tomto module. Informácie o tomto module nájdete v časti PIN priradenia.


Funkčný blokový diagram

4 GB, 512MX64 MODUL (2RANK OF X8)

1


2


Poznámka:
1. ZQ guľa na každej zložke DDR3 je pripojená k externému odporu 240Ω ± 1%, ktorý je zviazaný na zem. Používa sa na kalibráciu ovládača ukončenia a výstupu komponentu.



Rozmery modulu


Čelný pohľad

3

Čelný pohľad

4

Poznámky:
1. Všetky rozmery sú v milimetroch (palce); Max/min alebo typické (typ), kde je uvedené.
2.Tolerancia vo všetkých rozmeroch ± 0,15 mm, pokiaľ nie je uvedené inak.
3. Rozmerový diagram je určený iba pre referenciu.

Kategórie produktov : Doplnky priemyselného inteligentného modulu

E-mail tomuto dodávateľovi
  • *predmet:
  • *na:
    Mr. Jummary
  • *e-mail:
  • *správa:
    Vaša správa musí mať medzi 20 a 8000 znakov
ÚvodProduktyDoplnky priemyselného inteligentného moduluDDR3 UDIMM Pamäťové špecifikácie
Odoslať dotaz
*
*

Domov

Product

Phone

O nás

dotaz

Budeme vás okamžite kontaktovať

Vyplňte viac informácií, ktoré sa s vami môžu rýchlejšie spojiť

Vyhlásenie o ochrane osobných údajov: Vaše súkromie je pre nás veľmi dôležité. Naša spoločnosť sľubuje, že vaše osobné informácie zverejní akýmkoľvek expanziou bez vašich výslovných povolení.

odoslať